دانلود مقالات

مقاله مطالعه تاثیر ضخامت بر ویژگی های الکتریکی دیودهای شاتکی نقره/سیلیکون ساخته شده به روش تبخیر حرارتی دارای 8 صفحه می باشد و دارای تنظیمات در microsoft word می باشد و آماده پرینت یا چاپ است

فایل ورد مقاله مطالعه تاثیر ضخامت بر ویژگی های الکتریکی دیودهای شاتکی نقره/سیلیکون ساخته شده به روش تبخیر حرارتی کاملا فرمت بندی و تنظیم شده در استاندارد دانشگاه و مراکز دولتی می باشد.

این پروژه توسط مرکز مرکز پروژه های دانشجویی آماده و تنظیم شده است

توجه : در صورت  مشاهده  بهم ریختگی احتمالی در متون زیر ،دلیل ان کپی کردن این مطالب از داخل فایل ورد می باشد و در فایل اصلی مقاله مطالعه تاثیر ضخامت بر ویژگی های الکتریکی دیودهای شاتکی نقره/سیلیکون ساخته شده به روش تبخیر حرارتی،به هیچ وجه بهم ریختگی وجود ندارد

بخشی از متن مقاله مطالعه تاثیر ضخامت بر ویژگی های الکتریکی دیودهای شاتکی نقره/سیلیکون ساخته شده به روش تبخیر حرارتی :

سال انتشار: 1393
محل انتشار: اولین کنفرانس سراسری توسعه محوری مهندسی عمران، معماری، برق و مکانیک ایران
تعداد صفحات: 8
چکیده:
در این پژوهش، سه دیود شاتکی نقره/ سیلیکون با انباشت 3 لایه نازک نقره به ضخامت های 360،300 و 400 نانومتر برروی زیرلایه سیلیکون نوع -P با جهت کریستالی ( 100 ) به روش تبخیر حرارتی و یک لایه آلومینیوم با ضخامت 120 نانومتر بر پشت هرزیرلایه به روش کند وپاش جریان مستقیم ساخته شده است. پارامترهای اصلی دیود شامل: فاکتور ایده آلn مقاومت متوالی Rs وسدپتانسیل b برای هر یک از دیود های ساخته شده با استفاده از دو روش آنالیز جریان- ولتاژ و توابع چونگ محاسبه شدند.برای هریک از سه ضخامت 300,360 و 400 نانومتر مقادیر فاکتور ایده آل و سد پتانسیل از آنالیز جریان- ولتاژ به ترتیب برابر3/8,0/63ev و2/058و0/70ev,1/01,0/73ev وباتوابع چونگ به ترتیب برابر 3/46و0/63evو2/42و0/70evو0/73و0/82ev بدست آمده است. همچنین مقدار مقاومت متوالی بطور میانگین از توابع چونگ برای هریک از سه ضخامت 300و360و400نانومتر به ترتیب برابر 07و53و10/2اهم ح اصل شد مقایسه مقادیر بدست آمده از توابع چونگ و نمودارهای حاصل از آنالیز جریان- ولتاژ نشان داده است که با افزایش ضخامت سدپتانسیل دیود شاتکی افزایش یافته و از مقدار مقاومت متوالی دیود کاسته شده است که در نتیجه دیود ایده آل تری تشکیل شده است